• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    一種發光二極體封裝結構，其包括基座及設置在該基座上之發光二極體晶片。該基座上形成有電極，該發光二極體晶片上形成有晶片電極，該晶片電極藉由焊線與基座上之電極連接。所述晶片電極以及焊線之材料為銀。
    公开号:TW201310731A
    申请号:TW100131008
    申请日:2011-08-30
    公开日:2013-03-01
    发明作者:Tzu-Chien Hung；Chung-Min Chang；Chih-Peng Hsu
    申请人:Advanced Optoelectronic Tech；
    IPC主号:H01L2224-00
    专利说明:
    發光二極體封裝結構
    本發明涉及一種發光二極體封裝結構。
    發光二極體是一種節能、環保、長壽命之固體光源，因此近十幾年來對發光二極體技術之研究一直非常活躍，發光二極體也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源之趨勢。先前技術中，在進行發光二極體封裝時，通常採用金線作為發光二極體晶片與基板電極之間之焊接線，實現發光二極體晶片與基板之電連接。但是，金線會有吸光現象，金會吸收波長小於580nm之光，從而會造成發光二極體封裝結構之光取出效率低。
    有鑒於此，有必要提供一種能夠提高光取出效率之發光二極體封裝結構。
    一種發光二極體封裝結構，其包括基座及設置在該基座上之發光二極體晶片。該基座上形成有電極，該發光二極體晶片上形成有晶片電極，該晶片電極藉由焊線與基座上之電極連接。所述晶片電極以及焊線之材料為銀。
    上述之發光二極體封裝結構之發光二極體晶片之晶片電極以及焊線都採用銀材料，降低了成本，而且銀材料之焊線能夠減少光線之吸收，銀材料之晶片電極能夠增強發光二極體晶片之表面光反射，從而提高能夠提高發光二極體封裝結構之光取出效率。
    以下將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。
    請參閱圖1，本發明一較佳實施方式提供之一種發光二極體封裝結構100包括基座10、設置在該基座10中之發光二極體晶片20以及包覆該發光二極體晶片20之封裝層30。
    所述基座10包括頂面11以及底面12，基座10從頂面11向底面12方向開設形成一容置杯13，該容置杯13之內表面為傾斜面，該傾斜面自頂面11向底面12方向延伸並沿容置杯13之徑向向內傾斜，使整個容置杯13上寬下窄，呈一漏斗狀。優選地，容置杯13內表面還塗敷有反光材料。基座10還包括有第一電極14以及第二電極15，該第一電極14和第二電極15彼此分離，其一端分別形成在容置杯13之底面，另一端分別從基座10之端面延伸到基座10之底面12上，用於與外部電路連接。
    所述發光二極體晶片20設置在容置杯13之底面。該發光二極體晶片20之表面上形成有兩個晶片電極21。該晶片電極21之材料為銀。發光二極體晶片20藉由兩個焊線40與基座10電連接，該焊線40之材料為銀。其中，該兩個焊線40一端分別連接在晶片電極21上，另一端分別連接基座10之第一電極14和第二電極15。
    傳統之發光二極體晶片20之晶片電極21之材料為金，但是如果使用銀材料之焊線40與金材料之晶片電極21連接會產生微電池效應，此效應源於金銀在瞬間接觸時，金功函數和銀功函數之差距會產生電位差，在此瞬間如同電池一樣，為了電位平衡會有電洞產生於銀材料之焊線40與金材料之晶片電極21結合點之表面，使該表面易氧化而有黑化現象。因此焊線40與晶片電極21均採用銀材料可避免黑化現象之發生。另外晶片電極21為銀材料，還會使發光二極體晶片20之表面光反射增加，增強正向光強度。
    請參閱圖2，所述晶片電極21與發光二極體晶片20接觸之底面形成有一阻擋層211，該阻擋層211之材料採用鎢或者鎳。在高溫回焊(250~400℃)時，可能會有銀向發光二極體晶片20之磊晶層擴散現象，因此可利用所述阻擋層211，能夠防止銀之擴散。晶片電極21之頂面上還形成有一防氧化層212，該防氧化層212之材料採用鈀。該防氧化層212用於防止晶片電極21氧化。
    所述封裝層30填充在基座10之容置杯13中，並且包覆發光二極體晶片20。該封裝層30用於保護發光二極體晶片20免受灰塵、水氣等影響。在本實施方式中，該封裝層30為一透明封膠樹脂，其內部還包含有螢光粉。
    相較於先前技術，本發明之發光二極體封裝結構之發光二極體晶片之晶片電極以及焊線都採用銀材料，降低了成本，而且銀材料之焊線能夠減少光線之吸收，銀材料之晶片電極能夠增強發光二極體晶片之表面光反射，從而提高能夠提高發光二極體封裝結構之光取出效率。
    另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。
    100．．．發光二極體封裝結構
    10．．．基座
    20．．．發光二極體晶片
    30．．．封裝層
    40．．．焊線
    11．．．頂面
    12．．．底面
    13．．．容置杯
    14．．．第一電極
    15．．．第二電極
    21．．．晶片電極
    211．．．阻擋層
    212．．．防氧化層
    圖1為本發明之發光二極體封裝結構之剖面示意圖。
    圖2為圖1中之發光二極體封裝結構之晶片電極放大示意圖。
    100．．．發光二極體封裝結構
    10．．．基座
    20．．．發光二極體晶片
    30．．．封裝層
    40．．．焊線
    11．．．頂面
    12．．．底面
    13．．．容置杯
    14．．．第一電極
    15．．．第二電極
    21．．．晶片電極
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種發光二極體封裝結構，其包括基座及設置在該基座上之發光二極體晶片，該基座上形成有電極，該發光二極體晶片上形成有晶片電極，該晶片電極藉由焊線與基座上之電極連接，其改進在於：所述晶片電極以及焊線之材料為銀。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述晶片電極與發光二極體晶片接觸之底面形成有一阻擋層，該阻擋層之材料採用鎢或者鎳。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述晶片電極之頂面形成有一防氧化層，該防氧化層之材料採用鈀。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述基座上開設形成一容置杯，所述發光二極體晶片設置在容置杯之底面。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述容置杯之內表面為傾斜面，該傾斜面自基座頂面向基座底面方向延伸並沿容置杯之徑向向內傾斜。
    [6] 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述基座之電極包括第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極彼此分離，第一電極和第二電極的一端分別形成在容置杯之底面，另一端分別從基座之端面延伸到基座之底面上。
    [7] 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構，其中：所述容置杯中還填充有一封裝層，該封裝層為一透明封膠樹脂，內部包含有螢光粉。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI636589B|2018-09-21|發光二極體模組及其製作方法
    TWI692122B|2020-04-21|發光二極體封裝結構及其製作方法
    TW201510414A|2015-03-16|發光二極體組件以及相關之照明裝置
    TWI505520B|2015-10-21|發光二極體封裝結構
    US8735933B2|2014-05-27|Light emitting diode package and method of manufacturing the same
    US20120074445A1|2012-03-29|Light emitting element housing package
    TWI566438B|2017-01-11|覆晶式發光二極體封裝結構
    TW201145609A|2011-12-16|Light-emitting diode package
    TWI513066B|2015-12-11|發光二極體封裝結構
    JPWO2011126135A1|2013-07-11|Ｌｅｄモジュール
    US8513698B2|2013-08-20|LED package
    JP5455720B2|2014-03-26|光半導体パッケージおよび光半導体装置
    TWI505511B|2015-10-21|發光二極體封裝結構
    TWI521751B|2016-02-11|發光二極體封裝結構
    TW201533930A|2015-09-01|發光二極體之載具結構及封裝結構
    TW201442286A|2014-11-01|發光二極體
    CN103296173A|2013-09-11|具有侧面电极的led芯片及其封装结构
    TW201332155A|2013-08-01|電極共平面之發光二極體元件、覆晶式發光二極體封裝結構及光反射結構
    TW201218359A|2012-05-01|Light emitting diode package structure
    KR101363980B1|2014-02-18|광 모듈 및 그 제조 방법
    TW201611347A|2016-03-16|覆晶式發光二極體封裝結構
    KR101675583B1|2016-11-11|발광 소자
    TWM496850U|2015-03-01|發光二極體封裝結構
    TWI237881B|2005-08-11|Package structure of surface mount device | LED
    TWI509849B|2015-11-21|發光二極體封裝結構
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    CN102956791B|2015-04-29|
    CN102956791A|2013-03-06|
    TWI521751B|2016-02-11|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JP4024994B2|2000-06-30|2007-12-19|株式会社東芝|半導体発光素子|
    JP2007184411A|2006-01-06|2007-07-19|Sony Corp|発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法|
    CN201044245Y|2007-04-29|2008-04-02|亿光电子工业股份有限公司|发光二极管|
    JP2010267694A|2009-05-13|2010-11-25|Sony Corp|半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体素子およびその製造方法|
    法律状态:
    2021-11-11| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    CN201110237664.6A|CN102956791B|2011-08-18|2011-08-18|发光二极管封装结构|
    [返回顶部]